功率晶体管

市场需要更小巧、更高效的电力转换产品，这就推动了晶体管设备的广泛应用。对于这些设备而言，效率成为近期关注的重点，主要强调在缩小尺寸的同时提高电压。随着尺寸缩小，管理热能、空间和可靠性的挑战也随之加大。因此，罗杰斯的先进电子解决方案具有重要意义。

现在，功率晶体管广泛应用于功率管理，但由于各自的用途性质而面临不同挑战。热管理、配电效率和可靠性十分关键。功率晶体管的种类有很多，包括：

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) - 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 结合了 MOS 管易于驱动和 BJT 低导通损耗的特点。它们通常是大电流、高电压应用的首选器件。IGBT 制造商必须在开关速度、导通损耗和耐用性之间取得平衡，从而使器件实现更高频率和效率。IGBT 同样具有高输入阻抗，因此在直流和交流电机驱动、不间断电源系统和可再生能源（光伏能源和风能）中得以广泛应用。其栅极驱动要求更低，切换损耗更低，尺寸更小，成本更低，效率更高。
金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) - 功率 MOSFET 的速度相当快；高速切换可降低开关损耗。由于绝缘栅的缘故，所需栅极驱动功率非常小。在这些方面，功率 MOSFET 已经接近理想开关的特点。可用于大部分电源、直流-直流变流器和低压电机控制器。超结型 MOSFET 的应用日益广泛，用于提高效率并缩小电源尺寸。
双极结型晶体管 (BJT) - 双极结型晶体管 (BJT) 导通损耗非常低，封装可靠，可在高温下工作。碳化硅 BJT 具有电流密度大、增益高等特点。对于低功率交流/直流电源，基于 BJT 的解决方案可降低成本并简化电磁干扰设计。

陶瓷基板和母线排在功率晶体管中发挥着重要作用，包括增强性能、尽量降低功率损耗并优化热管理。罗杰斯 ROLINX® 母线排可作为电源和功率晶体管模块（ IGBT、BJT、MOSFET 或整个模块）间的定制化连接。此外，罗杰斯 curamik® 陶瓷基板冷却部件可在半导体层级实现互连。